许志勇 博士 高级工程师
电子科技大学获得学士、硕士和博士学位；2009年至2017年于肇庆市科技局从事科技项目管理和产学研合作相关工作，并作为主要研发人员参与多项国家、省部级和市级科技计划项目的研究工作，协助指导多名硕士研究生；2018年5月-2019年5月于肇庆市工业和信息化局挂职锻炼；2017年至今担任企业省部产学研科技特派员；以第一作者身份在国内外期刊公开发表研究论文9篇，其中核心期刊及被四大索引收录9篇，现为《Journal of Alloys and Compounds》、《Ceramics International》、《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》、《Materials Chemistry and Physics》等期刊审稿人。获得授权国家发明专利6件、实用新型专利8件，并全部实现许可实施；获得2017年度“肇庆市重点项目建设和重点工作先进个人奖”。
联系方式 QQ：121187506、邮箱：121187506@qq.com
主要承担课程：《电路分析基础》、《数字电路》、《电工与电子技术》等
承担科研项目：
[1] 高阻低B值NTC热敏芯片用半导体陶瓷粉料研制，肇庆市科技局，2011
[2] BaFe12O19铁氧体薄膜显微结构与性能的关系研究，中央高校基金，2013
[3] 新一代XX微波部件研究，国防预研管理中心，2016
[4] 耐高温高可靠金电极NTC热敏芯片的研究（军民融合），肇庆市科技局，2019
发表论文列表：
[1] Z. Y. Xu, Z. Yu, K. Sun, et al.Microstructure and magnetic properties of Sn-substituted MnZn ferrites [J]. J. Magn. Magn. Mater., 2009, 321(18): 2883-2889 （SCI）
[2] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, G. W. Zhu, et al. Effects of the oxygen partial pressure during deposition on the material characteristics and magnetic properties of BaM thin films[J]. J. Alloys. Compd., 2012, 538: 11-15 （SCI）
[3] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with an interfacial layer deposited at various substrate temperatures[J]. J. Alloys. Compd., 2013, 575: 257-262（SCI）
[4] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with different thicknesses[J]. Appl. Surf. Sci., 2013, 271: 362-368（SCI）
[5] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Effects of BaM interfacial layer on the c-axis orientation of BaM thin films deposited on thermally oxidized silicon substrates[J]. IEEE Trans. Magn., 2013, 49(7): 4226-4229（SCI）
[6] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Deposition of perpendicular c-axis oriented BaM thin films on (001) Al2O3 substrates by introducing an interfacial BaM buffer layer[J]. J. Magn. Magn. Mater., 2013, 345: 72-76 （SCI）
[7] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with different layer structures[J]. Advanced Materials Research, 2013, 774-776: 935-939（SCI）
[8] 许志勇, 余忠, 李乐中, 等. 二磨时间对MnZn铁氧体结构和磁性能的影响[J]. 压电与声光, 2010, 2: 307-310（EI）
[9] 许志勇, 余忠, 李乐中, 等. ZnO对MnZn铁氧体磁导率和损耗温度特性的影响[J]. 压电与声光, 2010, 3: 453-456（EI）
知识产权列表：
[1] 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法，发明专利，授权号：ZL201210222035.0，2014
[2] c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法，发明专利，授权号：ZL201210436117.5，2015
[3] 宽温宽频低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法，发明专利，授权号：ZL201210220728.6，2015
[4] 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料及制备方法，发明专利，授权号：ZL201110215629.4，2013
[5] 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，发明专利，授权号：ZL201310179098.7，2016
[6] 高Tc、宽温超高BsMnZn铁氧体材料及制备方法，发明专利，授权号：ZL201310092273.9，2014
[7] 一种智能卷膜机，实用新型，授权号：ZL 201820644344X，2019
[8] 一种电阻编带机，实用新型，授权号：ZL 2018206410713，2019
[9] 一种加热型流延涂覆机，实用新型，授权号：ZL 2018206443454，2019
[10] 一种排胶式箱式炉，实用新型，授权号：ZL 2018206410126，2019
[11] 一种薄膜流延机，实用新型，授权号：ZL 2018206410215，2019
[12] 一种电子元件介质膜卷膜机，授权号：ZL 2018206406027，2019
获得奖励列表：
[1] “肇庆市重点项目建设和重点工作先进个人奖”，肇庆市劳动竞赛委员会，2017
[2] “肇庆市西江紧缺人才”，肇庆市人力资源和社会保障局，2017