许志勇，男，博士研究生，高级工程师，2016年于电子科技大学获得博士学位。2009年至2017年于肇庆市科技局从事科技项目管理和产学研合作相关工作，并作为主要研发人员参与多项国家、省部级和市级科技计划项目的研究工作，协助指导多名硕士研究生。以第一作者在国内外公开发表论文9篇，其中核心期刊及被四大索引收录9篇，现为《Journal of Alloys and Compounds》、《Ceramics International》、《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》、《Materials Chemistry and Physics》等期刊审稿人。申请发明专利6件、已授权6件，获得2017年度“肇庆市重点项目建设和重点工作先进个人奖”。
联系方式：xzy831230@163.com (email)
主要承担《电工电子技术》、《光纤通信》等课程。
承担项目列表：
[1] 高阻低B值NTC热敏芯片用半导体陶瓷粉料研制，肇庆市科技局，2011
[2] BaFe12O19铁氧体薄膜显微结构与性能的关系研究，中央高校基金，2013
发表论文列表：
[1] Z. Y. Xu, Z. Yu, K. Sun, et al.
Microstructure and magnetic properties of Sn-substituted MnZn ferrites [J]. J. Magn. Magn. Mater., 2009, 321(18): 2883-2889 （SCI）
[2] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, G. W. Zhu, et al. Effects of the oxygen partial pressure during deposition on the material characteristics and magnetic properties of BaM thin films[J]. J. Alloys. Compd., 2012, 538: 11-15 （SCI）
[3] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with an interfacial layer deposited at various substrate temperatures[J]. J. Alloys. Compd., 2013, 575: 257-262（SCI）
[4] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with different thicknesses[J]. Appl. Surf. Sci., 2013, 271: 362-368（SCI）
[5] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Effects of BaM interfacial layer on the c-axis orientation of BaM thin films deposited on thermally oxidized silicon substrates[J]. IEEE Trans. Magn., 2013, 49(7): 4226-4229（SCI）
[6] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Deposition of perpendicular c-axis oriented BaM thin films on (001) Al2O3 substrates by introducing an interfacial BaM buffer layer[J]. J. Magn. Magn. Mater., 2013, 345: 72-76 （SCI）
[7] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with different layer structures[J]. Advanced Materials Research, 2013, 774-776: 935-939（SCI）
[8] 许志勇, 余忠, 李乐中, 等. 二磨时间对MnZn铁氧体结构和磁性能的影响[J]. 压电与声光, 2010, 2: 307-310（EI）
[9] 许志勇, 余忠, 李乐中, 等. ZnO对MnZn铁氧体磁导率和损耗温度特性的影响[J]. 压电与声光, 2010, 3: 453-456（EI）
知识产权列表：
[1] 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法，发明专利，授权号：ZL201210222035.0，2014
[2] c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法，发明专利，授权号：ZL201210436117.5，2015
[3] 宽温宽频低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法，发明专利，授权号：ZL201210220728.6，2015
[4] 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料及制备方法，发明专利，授权号：ZL201110215629.4，2013
[5] 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，发明专利，授权号：ZL201310179098.7，2016
[6] 高Tc、宽温超高BsMnZn铁氧体材料及制备方法，发明专利，授权号：ZL201310092273.9，2014
获得奖励列表：
[1] “肇庆市重点项目建设和重点工作先进个人奖”，肇庆市劳动竞赛委员会，2017
